8 月 11 日消息，据最新爆料，三星 Galaxy S26 Ultra 在内存性能方面将迎来重大突破。知名爆料人 Ice Universe 透露，这款机型将配备美光最新的 LPDDR5X 内存，传输速度高达 10.7Gbps，相比 S25 Ultra 所搭载的 9.6Gbps 内存，性能提升显著。
这一内存速度的大幅提升，得益于美光先进的 1γ(1-gamma)DRAM 架构。与上一代 1β(1-beta)架构相比，1γ 架构在功耗效率和多任务处理能力上实现了质的飞跃。这意味着用户在使用 Galaxy S26 Ultra 运行高负载任务时，能够获得更为流畅的性能体验，同时还能有效降低电池功耗，延长续航时间。
虽然在日常普通使用场景中，这种内存速度的提升可能不太容易察觉，但在对内存带宽要求极高的场景下，如运行大型游戏、进行多任务快速切换时，其优势将展现得淋漓尽致。对于游戏爱好者以及经常需要同时运行多个应用程序的用户而言，这无疑是一个重大利好。
值得一提的是，三星近年来一直致力于提升设备的人工智能能力，此次内存升级将为这一目标提供有力支持。据悉，Galaxy S26 Ultra 还预计将搭载骁龙 8 Elite 2 芯片，结合内存性能的显著提升，这款手机的整体性能有望大幅超越前代机型，为用户带来更为出色的使用体验。
